Samsung dépasse le seuil du téraoctet pour le stockage sur smartphone avec le premier stockage flash universel intégré de 1 To – Actualités Samsung


Développé par la V-NAND de cinquième génération, le nouveau stockage universel Flash offre 20 fois plus de stockage qu'une mémoire interne de 64 Go et une vitesse 10 fois supérieure à celle d'une carte microSD classique pour les applications nécessitant une utilisation intensive de données.

Samsung Electronics, le leader mondial des technologies de mémoire avancées, a annoncé aujourd'hui le lancement de la production en série du premier système de stockage flash universel (eUFS) 2.1 intégré du secteur destiné aux applications mobiles de nouvelle génération. Quatre ans seulement après le lancement de la première solution UFS, le système eUFS de 128 gigaoctets (Go), Samsung a dépassé le seuil très attendu du téraoctet pour le stockage sur smartphone. Les passionnés de smartphones pourront bientôt bénéficier d'une capacité de stockage comparable à celle d'un ordinateur portable haut de gamme, sans avoir à coupler leur téléphone avec des cartes mémoire supplémentaires.

"1To eUFS devrait jouer un rôle clé dans la fourniture d'une expérience utilisateur plus portable à la prochaine génération d'appareils mobiles", a déclaré Cheol Choi, vice-président directeur des ventes et du marketing de la mémoire chez Samsung Electronics. "En outre, Samsung s’engage à garantir la chaîne logistique la plus fiable et les bonnes quantités de production afin de prendre en charge le lancement en temps voulu des prochains smartphones phares afin d’accélérer la croissance du marché mondial de la téléphonie mobile."

Avec la même taille de boîtier (11,5 mm x 13,0 mm), la solution eUFS 1 To double la capacité de la version précédente de 512 Go en combinant 16 couches empilées de la mémoire flash V-NAND la plus avancée de 512 gigabits (Go) de Samsung et un contrôleur de propriété récemment développé. Les utilisateurs de smartphones pourront désormais stocker 260 vidéos de 10 minutes au format 4K UHD (3840 × 2160), tandis que le système eUFS de 64 Go, largement utilisé dans de nombreux smartphones haut de gamme actuels, peut stocker 13 vidéos. de la même taille.

Le système eUFS de 1 To offre également une vitesse exceptionnelle qui permet aux utilisateurs de transférer de grandes quantités de contenu multimédia en un temps considérablement réduit. Avec une vitesse pouvant atteindre 1 000 mégaoctets par seconde (Mo / s), le nouvel eUFS présente environ le double de la vitesse de lecture séquentielle d'un disque SSD de 2,5 pouces typique. Cela signifie que des vidéos HD de 5 Go peuvent être téléchargées sur un SSD NVMe en seulement cinq secondes, soit 10 fois la vitesse d'une carte microSD classique. De plus, la vitesse de lecture aléatoire a augmenté de 38% par rapport à la version de 512 Go, atteignant 58 000 IOPS. Les écritures aléatoires sont 500 fois plus rapides qu'une carte microSD hautes performances (100 IOPS), atteignant un maximum de 50 000 IOPS. Les vitesses aléatoires permettent une prise de vue en continu à haute vitesse à 960 images par seconde et permettront aux utilisateurs de smartphones de tirer pleinement parti des capacités de plusieurs appareils photo des modèles vedettes d'aujourd'hui et de demain.

Samsung prévoit d'étendre la production de sa V-NAND 512Gb de cinquième génération dans son usine coréenne de Pyeongtaek au cours du premier semestre 2019 afin de répondre pleinement à la forte demande anticipée d'eUFS d'1 To de la part des fabricants d'appareils mobiles du monde entier.

* Référence: Comparaison des performances de la mémoire interne

La mémoire Séquentielle
Vitesse de lecture
Séquentielle
Vitesse d'écriture
Au hasard
Vitesse de lecture
Au hasard
Vitesse d'écriture
Samsung
EUFS de 1 To 2.1
(Janvier 2019)
1000 Mo / s 260 Mo / s 58 000 IOPS 50 000 IOPS
Samsung
512 Go eUFS 2.1
(Novembre 2017)
860 Mo / s 255 Mo / s 42 000 IOPS 40 000 IOPS
Samsung
eUFS 2.1 pour l'automobile
(Septembre 2017)
850 Mo / s 150 Mo / s 45 000 IOPS 32 000 IOPS
Samsung
Carte UFS 256 Go
(Juillet 2016)
530 Mo / s 170 Mo / s 40 000 IOPS 35 000 IOPS
Samsung
256 Go eUFS 2.0
(Février 2016)
850 Mo / s 260 Mo / s 45 000 IOPS 40 000 IOPS
Samsung
128 Go eUFS 2.0
(Janvier 2015)
350 Mo / s 150 Mo / s 19 000 IOPS 14 000 IOPS
eMMC 5.1 250 Mo / s 125 Mo / s 11 000 IOPS 13 000 IOPS
eMMC 5.0 250 Mo / s 90 Mo / s 7 000 IOPS 13 000 IOPS
eMMC 4.5 140 Mo / s 50 Mo / s 7 000 IOPS 2 000 IOPS