Transistor GAA Samsung, MBCFET ™ – Samsung Global Salle de presse

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Les derniers semi-conducteurs contiennent une grande quantité d'informations dans de petites puces qui deviennent de plus en plus petites à chaque itération.

Afin de réduire la taille des semi-conducteurs, l’architecture FinFET a été introduite pour redimensionner davantage la longueur de la porte. Alors que Samsung concevait des micropuces encore plus petites, de nouveaux défis se présentaient et il était difficile d’utiliser une architecture inférieure à 4-5 nm avec l’architecture FinFET actuelle. Cette observation a incité la société à innover et à mettre en œuvre ses nouveaux transistors Gate-All-Around (GAA).

Le GAA de Samsung a redessiné le transistor, ce qui le rend plus efficace en termes d'utilisation d'énergie et de performances supérieures aux FET existants à canaux multiples (MBCFET ™) utilisant des nanosheets empilées. Le MBCFET ™ breveté de Samsung est configuré comme une feuille nanométrique, permettant une intégration plus récente et plus simple des périphériques.

Voir l'infographie ci-dessous pour plus d'informations sur les progrès de la GAA de Samsung dans l'avenir de la technologie des semi-conducteurs.

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